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Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si (en Italiano)
Sonia Kaschieva
(Autor)
·
Sergey N. Dmitriev
(Autor)
·
Edizioni Sapienza
· Tapa Blanda
Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si (en Italiano) - Kaschieva, Sonia ; Dmitriev, Sergey N.
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Reseña del libro "Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si (en Italiano)"
E' stata studiata la generazione di difetti di radiazione mediante irradiazione di elettroni MeV ad alta energia di tipo n e p- struttura Si-SiO2 con diversi tipi di ossidi. I cambiamenti morfologici di ossido di SiO2 durante l'irradiazione di elettroni MeV è stato osservato da AFM. Si + strutture Si-SiO2 impiantato ioni Si + impiantato strutture Si-SiO2 prima e dopo l'irradiazione di elettroni MeV sono presentati. La ridistribuzione di atomi di ossigeno e di silicio e la generazione di nanocristalli Si durante l'irradiazione di elettroni MeV è stata osservata da RBS / C e AFM tecniche rispettivamente. Proprietà ottiche, fotoluminescenza e studi spettroscopici di film di SiOx irradiati con elettroni MeV sono anche effettuati.
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El libro está escrito en Italiano.
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