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Irradiação de Electrões mev de si Heteroestruturas
Sonia Kaschieva; Sergey N. Dmitriev (Autor)
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· Tapa Blanda
Irradiação de Electrões mev de si Heteroestruturas - Sonia Kaschieva; Sergey N. Dmitriev
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Reseña del libro "Irradiação de Electrões mev de si Heteroestruturas"
Foi estudada a geração de defeitos de irradiação por irradiação electrónica MeV de alta energia de estrutura Si-SiO2 do tipo n e p com diferentes tipos de óxidos. As alterações morfológicas do óxido de SiO2 durante a irradiação dos electrões do MeV foram observadas pela AFM. As estruturas de Si+ iões implantadas de Si-SiO2 antes e depois da irradiação dos electrões MeV são apresentadas. A redistribuição dos átomos de oxigénio e silício e a geração de nanocristais de Si durante a irradiação dos electrões MeV foi observada pelas técnicas RBS/C e AFM, respectivamente. As propriedades ópticas, a fotoluminescência e os estudos espectroscópicos das películas de SiOx irradiadas com electrões MeV são também realizados.
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